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EMI
ISSI

Netsol 是一家位于韓國的無廠內存半導體設計公司，產品有異步快速SRAM、低功耗SRAM、同步SRAM、四重/DDR SRAM 和 SLC NAND Flash,以下產品是為異步快速存儲器芯片簡稱為：Async Fast SRAM，速度一般在8/10/15ns,電壓范圍在1.65V~5V，可以滿足大部分應用的電壓設計，NETSOL品牌的容量大小高達32Mbit，相對Lyontek產品容量較大，如需要容量較大的應用設計，可以采取NETSOL品牌的產品。

型號	容量	位寬	電壓(V)	存取時間	封裝	PDF
S6R3216W1M	32Mb	2Mx16	1.65~3.6V	8/10/12/15ns	48FBGA	聯系我們
S6R3208W1M	32Mb	4Mx8	1.65~3.6	8/10/12/15ns	48FBGA	聯系我們
S6R1616W1M	16Mb	1Mx16	1.65~3.6V	8/10/12/15ns	48TSOP1 48FBGA	聯系我們
S6R1616V1M	16Mb	1Mx16	3.3V	8/10ns	48TSOP1 48FBGA	聯系我們
S6R1616C1M	16Mb	1Mx16	5V	10ns	48TSOP1 48FBGA	聯系我們
S6R1608W1M	16Mb	2Mx8	1.65~3.6V	8/10/12/15ns	44TSOP2 48FBGA	聯系我們
S6R1608V1M	16Mb	2Mx8	3.3V	8/10ns	44TSOP2 48FBGA	聯系我們
S6R1608C1M	16Mb	2Mx8	5V	10ns	44TSOP2 48FBGA	聯系我們
S6R8016W1A	8Mb	512Kx16	1.65~3.6V	8/10/12/15ns	44TSOP2 48FBGA	聯系我們
S6R8016C1A	8Mb	512Kx16	5V	10ns	44TSOP2 48FBGA	聯系我們
S6R8008W1A	8Mb	1Mx8	1.65~3.6V	8/10/12/15ns	44TSOP2 48FBGA	聯系我們
S6R8008C1A	8Mb	1Mx8	5V	10ns	44TSOP2 48FBGA	聯系我們
S6R2008W1A	2Mb	256Kx8	1.65~3.6V	8/10/12/15ns	44TSOP2 36FBGA	聯系我們
S6R2008V1A	2Mb	256Kx8	3.3V	8/10ns	44TSOP2 36FBGA	聯系我們
S6R4016W1A	4Mb	256Kx16	1.65~3.6V	8/10/12/15ns	44TSOP2 48FBGA	聯系我們
S6R4016V1A	4Mb	256Kx16	3.3V	8/10ns	44TSOP2 48FBGA	聯系我們
S6R4016C1A	4Mb	256Kx16	5V	10ns	44TSOP2 48FBGA	聯系我們
S6R4008W1A	4Mb	512Kx8	1.65~3.6	8/10/12/15ns	44TSOP2 36FBGA	聯系我們
S6R4008V1A	4Mb	512Kx8	3.3V	8/10ns	44TSOP2 36FBGA	聯系我們
S6R4008C1A	4Mb	512Kx8	5V	10ns	44TSOP2 36FBGA	聯系我們
S6R1008W1A	1Mb	128Kx8	1.65~3.6V	8/10/12/15ns	32sTSOP1 36FBGA	聯系我們
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S6R2016V1A	2Mb	128Kx16	3.3V	8/10ns	44TSOP2 48FBGA	聯系我們
S6R2016C1A	2Mb	128Kx16	5V	10ns	44TSOP2 48FBGA	聯系我們
S6R2008C1A	2Mb	256Kx8	5V	10ns	44TSOP2 36FBGA	聯系我們
S6R1016C1A	1Mb	64Kx16	5V	10ns	44TSOP2 48FBGA	聯系我們
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S6R1008C1A	1Mb	128Kx8	5V	10ns	32sTSOP1 36FBGA	聯系我們
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備注：如需了解更多關于產品資訊，請聯系我們 0755-2372 3970，我們竭誠為您服務。