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同步高速Sync High Speed
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同步高速存儲器芯片（Sync High Speed SRAM）

同步高速靜態(tài)存儲器是指Memory工作需要步時鐘，
內(nèi)部的命令的發(fā)送與數(shù)據(jù)的傳輸都以它為基準(zhǔn)；隨機是指數(shù)據(jù)不是線性依次存儲，
而是由指定地址進行數(shù)據(jù)讀寫。
對于SSRAM的所有訪問都在時鐘的上升/下降沿啟動。地址、數(shù)據(jù)輸入和其它控制信號均于時鐘信號相關(guān)。
這一點與異步SRAM不同，異步SRAM的訪問獨立于時鐘，數(shù)　據(jù)輸入和輸出都由地址的變化控制。
issiISSI用0.25微米工藝技術(shù)生產(chǎn)最新進的SRAM產(chǎn)品，產(chǎn)品都是由代工服務(wù)商代為生產(chǎn)，以下產(chǎn)品是為同步快速存儲器芯片簡稱為：sync Fast SRAM，是與時鐘同步運行的SRAM,同步SRAM的所有訪問都在時鐘的上升/下降沿啟動。地址、數(shù)據(jù)輸入和其它控制信號均于時鐘信號相關(guān)。電壓范圍在1.65V~5V，可以滿足大部分應(yīng)用的電壓設(shè)計。
型號 容量 位寬 核心電壓 輸入輸出電壓 速度 tKQ(ns) 封裝(Pins) PDF
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IS61VF25672A 18Mb 256Kx72 2.5V 2.5V 133117 6.5,7.5 BGA(209) 聯(lián)系我們
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IS61VPS25636B 9Mb 256Kx36 2.5V 2.5V 250200166 2.6,3.1,3.8 BGA(119),QFP(100),BGA(165) 聯(lián)系我們
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IS64LF25636B 9Mb 256Kx36 3.3V 2.5/3.3V 117 7.5 QFP(100),BGA(119),BGA(165) 聯(lián)系我們
IS64LPS25636B 9Mb 256Kx36 3.3V 2.5/3.3V 166 3.8 QFP(100) 聯(lián)系我們
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