內存Flash是一種非易失性的存儲器。在嵌入式系統中通常用于存放系統、應用和數據等。在PC系統中，則主要用在固態硬盤以及主板BIOS中。絕大部分的U盤、SD Card等移動存儲設備也都是使用內存Flash作為存儲介質。
 
內存Flash的主要特性
 
與傳統的硬盤存儲器相比，內存Flash具有質量輕、能耗低、體積小、抗震能力強等的優點，但也有不少局限性，主要如下：
 
需要先擦除再寫入
內存Flash寫入數據時有一定的限制。它只能將當前為1的比特改寫為0，而無法將已經為0的比特改寫為1，只有在擦除的操作中，才能把整塊的比特改寫為1。
 
塊擦除次數有限
內存Flash的每個數據塊都有擦除次數的限制（十萬到百萬次不等），擦寫超過一定次數后，該數據塊將無法可靠存儲數據，成為壞塊。
 
為了最大化的延長內存Flash的壽命，在軟件上需要做擦寫均衡（WearLeveling），通過分散寫入、動態映射等手段均衡使用各個數據塊。同時，軟件還需要進行壞塊管理（Bad Block Management，BBM），標識壞塊，不讓壞塊參與數據存儲。（注：除了擦寫導致的壞塊外，內存Flash在生產過程也會產生壞塊，即固有壞塊。）
 
讀寫干擾
由于硬件實現上的物理特性，內存Flash在進行讀寫操作時，有可能會導致鄰近的其他比特發生位翻轉，導致數據異常。這種異常可以通過重新擦除來恢復。內存Flash應用中通常會使用ECC等算法進行錯誤檢測和數據修正。
 
電荷泄漏
存儲在內存Flash存儲單元的電荷，如果長期沒有使用，會發生電荷泄漏，導致數據錯誤。不過這個時間比較長，一般十年左右。此種異常是非永久性的，重新擦除可以恢復。

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