正確的同步靜態(tài)隨機存取存儲器（SRAM）的選擇對于帶寬要求更高，系統(tǒng)性能更好的網(wǎng)絡應用至關重要。系統(tǒng)設計人員需要了解不同同步SRAM技術的特性和優(yōu)勢，以便為其應用選擇正確的存儲器。
 
決定正確的同步SRAM選擇的一些關鍵因素是密度，等待時間，速度，讀/寫比和功率。通過了解這些因素如何影響性能，可靠性和成本，設計人員可以為其應用選擇最佳的同步SRAM。宇芯電子專注代理銷售SRAM，異步SRAM，同步SRAM,PSRAM等存儲芯片，提供產(chǎn)品技術支持及解決方案。
 
同步高速SRAM有多種形式，具有不同的性能特征和優(yōu)勢。標準同步SRAM通常用于工業(yè)電子，儀器儀表和軍事應用。這些設備通常用作數(shù)據(jù)緩沖區(qū)（臨時存儲），并且可以通過它們的高速，單數(shù)據(jù)速率（SDR）接口隨機訪問。標準同步突發(fā)SRAM非常適合占主導地位的讀取或?qū)懭氩僮鳌？蛻艨梢栽诰哂杏脩艨蛇x的線性和交錯突發(fā)模式以及單周期取消選擇（SCD）和雙周期取消選擇（DCD）選項的直通（FT）或流水線（PL）體系結構之間進行選擇。
 
存儲器選擇：關鍵因素
 
選擇同步高速SRAM存儲器的主要考慮因素之一是數(shù)據(jù)帶寬，數(shù)據(jù)帶寬隨同步SRAM的不同類型而變化。為了進行計算，已考慮了最大時鐘頻率和x36的總線寬度。
 
同步SRAM存儲器選擇的另一個因素是功率效率。由于電源電壓較低，與標準同步高速SRAM相比，QDR / DDR器件的功耗更低。表1概述了決定內(nèi)存選擇的其他因素：

   
提供了各種各樣的同步高速SRAM。通過了解可用的不同類型的內(nèi)存，系統(tǒng)設計人員可以為其應用選擇正確的同步內(nèi)存選項。

VTI 同步SRAM

型號	容量	位寬	溫度	類型	電壓(V)	頻率(MHz)	封裝	包裝	狀態(tài)
VTI304NP36TM	4M bit	128K x 36	C,I	Sync Pipe Burst	3.3	250	100TQFP	Tray	MP
VTI304NP18TM	4M bit	256K x 18	C,I	Sync Pipe Burst	3.3	250	100TQFP	Tray	MP
VTI309NP36TM	9M bit	256K x 36	C,I	Sync Pipe Burst	3.3	250	100TQFP	Tray	MP
VTI309NP18TM	9M bit	512K x 18	C,I	Sync Pipe Burst	3.3	250	100TQFP	Tray	MP
VTI318NP36TM	18M bit	512K x 36	C,I	Sync Pipe Burst	3.3	250	100TQFP	Tray	MP
VTI318NP18TM	18M bit	1M x 18	C,I	Sync Pipe Burst	3.3	250	100TQFP	Tray	MP
VTI336NP36TM	36M bit	1M x 36	C,I	Sync Pipe Burst	3.3	250	100TQFP	Tray	MP
VTI336NP18TM	36M bit	2M x 18	C,I	Sync Pipe Burst	3.3	250	100TQFP	Tray	MP

 

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