隨著電子科技的發展，單片機廣泛應用在通信、交通、家用電器、便攜式智能儀表和機器人制作等領域，并且電路簡單，低故障率，高可靠性，價格低廉，在單片機應用中有些為了滿足對系統設計的要求會對系統的外部SRAM進行擴展，
下面介紹紹在AVR ATmegal28中如何實現擴展掉電數據不丟失的512 KB SRAM解決方案
　　1 系統硬件結構
　　單片機采用的是Atmel公司生產的ATmegal28，其引腳排列如圖l所示。ATmegal 28單片機為基于AVR RISC結構的8位低功耗CMOS微處理器，憑借先進的指令集以及單周期指令執行時間，其數據吞吐率高達1MIPS/MHz，可以緩解系統的功耗和處理速度之間的矛盾。AVR單片機內核具有豐富的指令集和32個通用工作寄存器，所有的寄存器都直接與算術邏輯單元(ALU)相連接，使得一條指令可以在一個時鐘周期內同時訪問兩個獨立的寄存器。這種結構大大提高了代碼效率，并且具有比普通的復雜
　　指令集微處理器高10倍的數據吞吐量。ATmegal28單片機內置：128 KB的在系統可編程Flash程序存儲器，具有在寫的過程中還可以讀的能力，即同時讀寫(RWW);4 KB的EEPROM;4 KB的SRAM;53個通用I/O端口線;32個通用工作寄存器;實時時鐘(RTC);4個靈活的具有比較模式和PWM功能的定時器/計數器(T/c);2個UJSART;面向字節的兩線接口(TWI);8通道10位ADC;可選的可編程增益;片內振蕩器的可編程看門狗定時器;串行外圍設備接口(SPI);與IEEEll49.1規范兼容的JTAG測試接口，此接口同時還可以用于片上調試;6種可以通過軟件選擇的省電模式。
　　
 
 
　　SRAM接口電路由鎖存器74AHC573D和BS62LV1006SIP55組成，如圖2所示。XRAM接口的工作頻率很高，當系統的工作條件高于8 MHz@4 V(4 V電源電壓，8 MHz工作頻率)和4 MHz@2.7 V(2.7 V電源電壓。4 MHz工作頻率)時，要小心地選擇地址鎖存器。此時，典型的74HC系列鎖存器已經無法滿足要求。XRAM接口與74AHC系列的鎖存器相兼容。BS62LV4006SIP55是BSI的高效率、低功耗CMOS靜態隨機訪問存儲器，能適應2.4～5.5 V的大范圍工作電壓，具有典型CMOS的高效率低功耗特性;在3.0V/25℃的條件下電流為0.25μA，在3.0V/85℃的條件下，最長訪問時間為55 ns。通過片選CE信號、輸出使能OE信號和三態輸出驅動，可以很方便地進行SRAM擴展。當BS62LV4006SIP55處于未片選狀態時，它具有自動降低功耗的特性。
　　
 
 
　　掉電數據保護電路由SA56600-42D接口電路、DS1302ZN接口電路和預警比較電路組成，電路原理圖如圖3所示。SA56600-42D是Philips公司生產的為保護SRAM中數據的集成芯片;DS1302ZN則是DALLAS公司生產的實時時鐘(RTC)，但它還具有可編程控制的充電器的功能，通過第8腳能為鋰電池進行控制充電;預警比較電路有保護現場數據的作用，當外部電壓低于10V時，模擬比較器就會觸發中斷，從而把現場數據保護到外擴SRAM或EEPROM中。
　　
 
 
　　2 工作原理
　　在主函數main()中，對I/O口、計時器、A/D轉換器、模擬比較器、RTC DSl302和外擴SRAM等進行初始化。對外擴的SRAM進行訪問時，通過PD5～PD7確定頁面地址，再根據A口、C口的第二功能訪問外部SRAM的指定地址，這部分在程序清單中有簡單的例子。有一點要注意，外部存儲器映射到內部存儲器之后，在缺省條件下MCU只能訪問每頁的60 KB外部存儲器(地址0x0000～0xlOFF為內部存儲器所保留)。然而，可以利用屏蔽高位地址的方法來訪問整個64 KB外部存儲器。這點對于跨頁訪問要特別注意。
　　在計時器中斷程序中，每隔一段設定的時間就要調用一次A/D轉換，以獲得鋰電池的電壓。在A/D中斷處理函數中對獲得的鋰電池電壓進行處理。如果獲得的鋰電池的電壓低于一個設定的值，則調用DSl302的90H命令對鋰電池進行充電;如果鋰電池電壓高于設定的值，則調用DSl302的91H命令，獲得寄存器對應TCS3～TCSl位的值，判斷DS1302是否對電池充電。如果在充電，就凋用DSl302的90H命令，結束對電池充電。
　　當預警比較電路中ATNl的電壓低于AIN0時，觸發模擬比較器中斷。在此中斷處理函數中把內部SRAM的數據備份到外部的SRAM或者EEPROM中，從而防止因外部電源掉電造成數據丟失。
　　當外部電源掉電或恢復供電時，SA56600-42D會自動切換外擴SRAM的供電。在外部電壓低于4.2 V時，SA56600-42D會使外擴SRAM處于未使能狀態，使SRAM不能訪問;在外部電壓低于3.3 V時，SA5660042D會自動切換到鋰電池為外擴SRAM供電，達到保護外擴SRAM中數據的同的;在外部電壓高于4.2 V時，SA56600-42D會自動切換到主電源為外擴SRAM供電。
　　3 本系統的優點
　　①使用高性能RISC架構的AVR ATmegal28單片機，從硬件上克服了傳統單片機在處理能力、外圍接口能力上的不足，可以實現復雜的程序控制。
　　②外擴SRAM達到512 KB，突破了傳統的64KB尋址范圍的限制。這對單片機來說有很重要的現實意義。
　　③外擴SRAM且實現掉電數據保護功能。相對于擴充EEPROM的系統，本系統的反應要快很多。
　　④應用本方案，在某些應用方面就不需要使用ARM微處理器，從而達到降低系統成本和開發難度的目的。
　　結語
　　采用本系統的擴展外部SRAM的方案，既能保證系統的響應速度，又能保證數據的安全性。本設計方案具有硬件結構簡單、成本低等優勢，在顯示、語音、交通控制和智能化停車場管理系統等方面，具有一定的參考價值。經在某停車場智能管理系統中的實際運行，證明該設計方案是成功的。