移動(dòng)或低功耗SDRAM提供了多種選擇來同時(shí)改善活動(dòng)和待機(jī)功耗。減少有功和備用電源可延長(zhǎng)電池壽命并提高系統(tǒng)可靠性。通過考慮系統(tǒng)使用，工程師可以從以下節(jié)電選項(xiàng)中進(jìn)行選擇以提供較低的活動(dòng)和備用電源：
 
•自動(dòng)溫度補(bǔ)償自刷新（ATCSR）：片上溫度傳感器根據(jù)芯片溫度控制刷新率。較高的溫度需要更頻繁的刷新。通過自動(dòng)調(diào)整刷新率，可以降低功耗，尤其是在較低溫度下。
 
•部分陣列自刷新（PASR）：PASR選擇在自刷新操作期間將刷新的內(nèi)存量。通過消除不必要的行激活，可以減少功耗。
 
•深度掉電（DPD）模式：DPD模式可切斷存儲(chǔ)器陣列的電源并減少泄漏電流。當(dāng)不需要數(shù)據(jù)保留時(shí)，這將提供最低的電源狀態(tài)。
 
•可編程輸出驅(qū)動(dòng)器強(qiáng)度（DS）：DS允許對(duì)輸出驅(qū)動(dòng)器進(jìn)行編程，以獲得全部或部分輸出驅(qū)動(dòng)器強(qiáng)度。對(duì)于較輕的負(fù)載（例如KGD應(yīng)用中的負(fù)載），可以降低驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度。通過調(diào)整輸出驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度以匹配實(shí)際總線負(fù)載，可以將功耗降至最低。
 
通常在想到DRAM時(shí)，首先想到的是價(jià)格和密度。但是根據(jù)應(yīng)用程序，還必須考慮許多其他注意事項(xiàng)。選擇DRAM時(shí)，供應(yīng)的連續(xù)性，長(zhǎng)期可靠性，外形尺寸和功耗也是關(guān)鍵考慮因素。
 
移動(dòng)設(shè)備正朝著更小的外形尺寸和更高的集成度發(fā)展。 此外更高的速度和更高的處理能力正在使功耗成為移動(dòng)設(shè)備的關(guān)鍵考慮因素。


關(guān)鍵詞：SDRAM  DRAM