隨著SOC 技術的發展，CMOS 工藝尺寸不斷縮小，芯片集成度越來越高，使得單位面積芯片的功耗不斷提高。近年來，便攜式電子產品如智能手機、平板電腦、數碼相機、智能手環發展迅猛，而對于使用電池的便攜式電子產品，芯片的功耗會直接影響到電池的使用時間、使用壽命，功耗逐漸成為大規模集成電路設計中最關心的問題。
 
CMOS 集成電路中的功耗由動態功耗、靜態功耗和短路功耗組成。各個功耗表達式如公式所示：
 
 
 
其中，Pdynamic是電路電容充放電產生的動態功耗，與電源電壓成平方關系；Pleak是靜態功耗，即漏電流產生的功耗，與電源電壓成一次方關系；Pshort是電路的短路功耗，產生于NMOS、PMOS 同時導通的瞬間，同樣與電源電壓成一次方關系。由此可見降低電源電壓能夠直接有效地降低電路的功耗。
 
SRAM的功耗包括動態功耗和靜態功耗，動態功耗和靜態功耗所占總功耗的比例不是一成不變的，其比例隨集成電路工藝的發展而變化。工藝每前進一個節點，MOSFET 漏電流大約增加5 倍。器件特征尺寸的減少，使得靜態功耗在電路總功耗中所占比例越來越大，同時也必然引起靜態泄漏電流的增加。據統計，在90nm 工藝下，IC 漏電流功耗大約占整個功耗的1/3，在65nm 工藝下，IC 漏電流功耗已經占總功耗的一半以上。由于動態功耗與電源電壓是平方的關系，靜態功耗與電源電壓是一次方關系，降低電源電壓能夠使得動態功耗和靜態功耗都得到大幅降低。


VTI低功耗SRAM 4Mbit

型號	位寬	容量	溫度	電壓	C/S Option	封裝
VTI504NL16	256K x 16	4Mbit	Industrial	3.3	1C/S	48BGA
VTI504NL16	256K x 16	4Mbit	Industrial	3.3	1C/S	44TSOP2
VTI504HB16	256K x 16	4Mbit	Industrial	5.0	2C/S	44TSOP2
VTI504HL08	512K x 8	4Mbit	Industrial	5.0	1C/S	32SOP
VTI504HL08	512K x 8	4Mbit	Industrial	5.0	1C/S	32TSOP2
VTI504HL08	512K x 8	4Mbit	Industrial	5.0	1C/S	32TSOP1
VTI504HL08	512K x 8	4Mbit	Industrial	5.0	1C/S	32sTSOP1
VTI504NL08	512K x 8	4Mbit	Industrial	3.3	1C/S	32TSOP1
VTI504NL08	512K x 8	4Mbit	Industrial	3.3	1C/S	32sTSOP1
VTI504HL16	256K x 16	4Mbit	Industrial	5.0	1C/S	44TSOP2
VTI504NL08	512K x 8	4Mbit	Industrial	3.3	1C/S	32SOP
VTI504NL08	512K x 8	4Mbit	Industrial	3.3	1C/S	32TSOP2
VTI504NB16	256K x 16	4Mbit	Industrial	3.3	2C/S	48BGA
VTI504NB16	256K x 16	4Mbit	Industrial	3.3	2C/S	44TSOP2

關鍵詞：SRAM    低電壓SRAM